第140章 小芯粒＋超导基座 (第2/3页)
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块双核的性能尚可的cpU，那么只需使用两枚cpU芯粒，再加一个超导基座，把它们封装到一起即可。
如果要组装一块四核的性能不错的cpU，那么使用四枚cpU芯粒，再加一个超导基座即可。
以此类推。
想要获得多高的性能，就如同加减法般，使用多少枚的芯粒即可，再匹配相对应的超导基座。
这套技术路线的最大优点，就是大大简化了芯片的制造过程，把技术最难的部分，以小芯粒的方式，模块化的生产出来，可极大的降低难度，能明显提高良品率。
缺点是稳定性稍差，故障率略有提高，性能表现也会受到一些限制，在同样的良率下，综合成本较传统芯片，会有明显提高。
但这些缺点，在搭配了超导基座，在小芯粒易规模化量产的优点面前，完全可以克服，甚至综合表现，不比传统芯片差。
除此之外。
龙国芯片联盟，还有几项传统芯片制造企业，所不具有的全新优势。
这天。
一场视频会议中。
代工专家张昊京汇报道：“叶总，借助太空提纯工厂的‘零重力提纯技术’，我们已经把纯度达到22个9的硅晶片生产了出来，比国外最厉害的13个9，还要高9个量级，用这种硅晶片生产出的芯片，稳定性会更高，良率也会提高。另外超高纯度的光刻胶溶液、特殊化学气体、稀土材料，我们也在太空工厂里，提纯了出来，都实现了量产，可以投入到芯片的制造中，足够满足7纳米，乃至5纳米芯片的制造需要。”
“好，有了这么多的超纯材料，看来在材料这块，已经打破外国的卡脖子了。”
叶云明点头道：“芯片工艺的话，目前能造出7纳米的小芯粒就够了，至于5纳米、3纳米、2纳米还有更低制程的工艺，全都是虚假制程，相互间的性能差距，不会超过15%，发热方面却没多大变化，甚至更容易发烫了，可见这纯粹是个数字游戏，只要我们先把7纳米搞定，再借助EUV光刻机搞定5纳米，西方的领先优势就彻底丧失了，他们实际就领先了两三代而已。”
“你说的没错叶总，只要搞定了7纳米，我们跟西方的技术代差，就缩小到一代了。”张昊京点头。
“对了何总，请问EdA工具这块，你们还要多少时间搞定？”
叶云明看向‘芯片女神’何庭玉的屏幕，询问道。
“没有太大的问题了，不管什么类型的芯粒，我们
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